SSC8019GN2&SSC8019GS6A具有先进的高单元密度沟槽技术最小化导通电阻，P-channel,VDS:-16V，VGS:±12V，ID:-12A/-11A，RDSON@-4.5V(Typ)=15/18mΩ; 主要用于电子烟，单节电池隔离等电路应用。

SSC80314LN4具有先进的高单元密度DMOS沟槽技术最小化导通电阻，先进的DFN3.3X3.3-8L封装，有效降低近20%导通内阻，跟普通PDFN3.3X3.3-8L 封装 Pin to Pin。N-channel, VDS:30V, VGS:±20V, ID:70A, RDSON@10V(Typ)=4.7mΩ;主要用于电动工具、吸尘器、扫地机、PD适配器、PC笔电等开关驱动电路应用。

SSC65T50GT6 - Trench FSII Fast IGBT，具有MOS管高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。该产品为TO-263-3L单管封装，VCES=650V, VGES=±20V, IC=50A(100℃) ；VGE(th)=4.5V(Typ.)产品工艺为精细沟槽结构，低导通压降，正温度系数，低开关损耗，易于并联使用。主要用于家电、医美、储能等变频、逆变、电机驱动、发光发热电路的应用。