SSC65T50GT6 - Trench FSII Fast IGBT，具有MOS管高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。该产品为TO-263-3L单管封装，VCES=650V, VGES=±20V, IC=50A(100℃) ；VGE(th)=4.5V(Typ.)产品工艺为精细沟槽结构，低导通压降，正温度系数，低开关损耗，易于并联使用。主要用于家电、医美、储能等变频、逆变、电机驱动、发光发热电路的应用。